单晶棒等径控制是单晶炉控制的重点。单晶直径在生长过程中课受到温度、提拉速度与转速、坩埚跟踪速度与转速、生长物理环境、?；て宓牧魉儆胛露?、冷却水流的流速与温度等因素的影响。归纳起来，无外乎是热场波动和生长速度变化两大类。因此，炉内热场设置，生长温度补偿、速度等参数选配是控制单晶外形的基本条件，炉内热场和生长速度的精确控制是单晶等径控制的重点。由于影响单晶等径生长的因素较多，控制对象数学模型难以建立，且这些因素本身以及它们之间的关系是模糊的、不确定的。系统具有非线性、时变性和大惯性的特征。因而，单晶炉单晶等径生长控制采用模糊控制策略是比较合适的。

    单晶等径生长在忽略一些干扰因素影响情况下，主要受温度和拉速影响。如果恒定温度而仅从生长速度控制直径，外形固然可以得到快速保证，但生长速度的大幅度调节会造成单晶微观质量缺陷。反之，如果恒定速度而仅从温度调节来控制直径，由于这种控制系统是一个缓慢时变，并且具有确定性扰动和随机干扰的非最小相位系统，用一般常规仪表控制手段来实现自动控径极为困难。只有对温度和生长速度进行综合控制，才能完成等径自动控制。